半導體設備迎新一輪成長 2奈米、先進封裝推升升級需求

全球晶圓廠擴產腳步加快，AI、2奈米、HBM與先進封裝同步推進，半導體設備需求也從單純增加產能，進一步轉向更高階的製程與檢測設備。

全球設備支出連三年成長 2027年突破2,000億美元

半導體設備正迎來新一輪擴張週期。全球晶圓廠設備支出預估2026年約1,480億美元，2027年提高至2,040億美元，2028年進一步來到2,590億美元，年增率分別約26.3%、32.6%與27%，2027年全球設備支出也將首度突破2,000億美元。

設備投資升溫背後有多股力量同時推動。AI基礎建設持續擴張，高階晶片開始進入2奈米與環繞閘極電晶體等新製程；記憶體市場則由HBM需求帶動擴產，DRAM與3D NAND也需要更複雜的製程設備。此外，半導體產能持續向不同地區擴散，美國、歐洲、新加坡等地陸續增加半導體投資，也讓設備需求不再只集中單一市場。

從國際設備大廠的動向也能看到需求熱度。其中一家美國大型半導體設備商2026年封裝相關業務大增70%，2027年仍被視為重要成長年份；另外兩家主要設備廠也持續受惠先進製程與檢測需求，其中高階檢測設備訂單能見度已延伸至2027年。

2奈米製程升級 EUV與薄膜沉積設備需求提高

晶片製程進入2奈米後，設備升級的重要性進一步提高。EUV極紫外光微影仍是先進製程不可缺少的一環，N2與A16等製程需要更精密的曝光能力，以維持微縮後的圖形精準度。

設備本身的價值也相當高，一套EUV設備價格約1.8億至2億美元，更高階的High-NA EUV則達3.5億美元以上。除了設備製造商本身，相關零組件、廠務工程與設備代工也跟著先進製程擴張而增加需求。

另一項變化出現在薄膜沉積與磊晶設備。2奈米開始採用環繞閘極電晶體，結構比過去更複雜，需要更精細地控制材料厚度與製程，因此原子層沉積及高精度矽晶圓相關設備的製程步驟呈倍數增加。記憶體同樣朝更高層數與更複雜結構發展，進一步增加沉積、蝕刻等設備需求。

先進封裝從2.5D走向3D 設備價值同步增加

AI晶片的升級也讓半導體製造重心延伸到封裝端。GPU等高階運算晶片需要與HBM整合，CoWoS等2.5D封裝需求持續增加；未來走向3D封裝後，晶片堆疊與晶片之間的連接又會更加複雜。

其中，混合鍵合利用銅對銅直接連接，提高晶片堆疊密度，相關設備需求可望隨3D封裝發展增加。從晶圓清洗、點膠、貼合到鍵合，先進封裝需要的設備種類與製程步驟都比傳統封裝更多，相關設備價值呈數倍以上提升。

一家深耕先進封裝設備的台灣業者，就已經在高階點膠設備建立相當高的市場地位，同時具備自動光學檢測設備能力，並持續向3D封裝延伸；CPO相關設備也開始進入量產階段。

3D晶片愈複雜 高階檢測需求跟著增加

製程與封裝複雜度提高後，晶片「做完之後怎麼確認品質」也成為設備市場另一個成長方向。環繞閘極電晶體、3D IC與HBM都具有更複雜的立體結構，傳統平面檢測逐漸不足以處理新的量測需求。

因此，高階檢測開始導入更多立體結構量測與X-ray技術，用來檢查晶片內部、封裝與堆疊結構，設備投資強度也隨製程升級提高。

一家台灣測試設備業者已將產品延伸至AI運算所需的電力與溫度測試，並切入主要晶片與AI運算平台供應鏈；隨著AI伺服器機櫃朝高壓直流供電架構發展，電力測試也成為其新的業務方向。

設備需求從晶圓製造一路延伸至封裝測試

另一類值得觀察的是能同時橫跨先進製程與先進封裝的設備供應商。一家台灣廠商除了參與EUV設備零件代工，也是主要晶圓代工廠供應鏈成員，並布局CoWoS與其他先進封裝設備，目前在手訂單超過1,300億元，訂單能見度已延伸至明年底。

全球晶圓廠設備支出從2026年的1,480億美元一路提高至2028年的2,590億美元，背後涵蓋的已不只是晶圓廠增加機台。2奈米需要更高階的EUV與薄膜製程，AI與HBM推升先進封裝投資，3D結構又增加檢測與量測難度。

這一輪設備擴張因此可以沿著EUV、薄膜沉積與磊晶、先進封裝、高階檢測與量測四條主線觀察；而能夠跨入先進製程、CoWoS、3D封裝及AI測試等高階環節的設備供應鏈，也更直接參與半導體規格升級帶來的設備需求。